خواص ترابرد حاملین بار برای نیم رساناهای آلی بستگی به حضور و نحوه توزیع سایتهای تله دارد. بطوریکه می دانیم تله ها نتیجه بی نظمی در مولکول ها و زنجیره های پلیمری که ناشی از ناخالصی های فیزیکی یا شیمیایی موجود در ساختار نیم رساناهای آلی می باشد. از نقطه نظر نقص های بلوری که باعث تغییر در ترازهای انرژی می شوند و ایجاد گاف انرژی در نظریه نواری می شوند، خواص ترابردحاملین بار در این نوع سیستم ها نیز دستخوش تغییراتی خواهد شد که مهمترین پارامتر در این موضوع جایگزیده شدن و یا دچار تله شدن در فرایند رسانش خواهد بود. البته نقص ها می توانند در نقش مراکز پراکننده در سیستم باشند. در این مقاله با استفاده در مدل های مختلف بازترکیب حاملین، اثرات پارامترهای اساسی بر عملکرد سلول های خورشیدی آلی نامتجانس و همچنین انتقال بار مورد بررسی قرار گرفته است. برای شبیه سازی این فرآیندها، دراین بخش بااستفاده ازحل خودسازگارمعادلات سوق-پخش ومعادله پواسون وهمچنین استفاده ازمدلهای مختلف بازترکیب ازطریق روش اجزاءمحدود، پارامترهای اساسی سلولهای خورشیدی آلی توده ای باساختار P3HT: PCBM موردمطالعه قرارگرفته است. در بیشتر مدل ها و مطالعات نظری ارایه شده، ناحیه فعال در سلول های خورشیدی آلی را به صورت ذاتی فرض می نمایند حال آنکه این فرض برای مطالعه و بهینه سازی آنها دارای اشکالاتی می باشدو می بایست سهم آلاییده کردن پلیمرها برای مطالعه بهتر، در نظر گرفته شود. این ساختار شامل ناحیه فعال با ساختار توده ای P3HT: PCBM به ضخامت 100 نانومتر می باشد.

بازده تبدیل نسبتا کم انرژی (PCE) سلول های خورشیدی حساس شده به نقاط کوانتومی (QDSSCs) به بازترکیب بار در سطوح مشترکمربوط می شود. فرایند بازترکیب بار را می توان با پوشاندن لایه QD با یک نیمه رسانای گاف پهن مانند ZnS، که به عنوان یک لایه مسدود کننده بین QD ها و مواد انتقال حفره (HTM) عمل می کند، متوقف کرد. در مطالعه حاضر، برای بهبود PCE از سلول های خورشیدی حساس به نقطه کوانتومی PbS، لایه مسدود کننده ZnS بر روی PbS (QDs) با استفاده از روش جذب و واکنش متوالی لایه یونی (SILAR) در دمای اتاق و فشار محیط، با موفقیت ساخته شد. اثر ضخامت لایه ZnS بر خواص فتوولتائیک با تغییر تعداد چرخه های پوشش دهی (n) مورد بررسی قرار گرفت. . نتایج تجربی نشان داد که لایه مسدود کننده ZnS عملکرد فتوولتائیکی QDSSC های PbS را با جلوگیری از فرایند بازترکیب بار بهبود می بخشد. سلول خورشیدی حاوی ZnS با 6n= لایه برای پارامترهای چگالی جریان اتصال کوتاه (Jsc)، فاکتور پرشدگی (FF) وPCE، به تریب مقادیر بیشینه 2mA. cm-11/11، 60/37٪ و 93/3٪ را نشان داد. ما دلایل این بهبود را کشف کرده و نشان دادیم که این امر بخاطر کاهش بازترکیب الکترون های تزریق شده نوری با حفره های HTM میسر شده است. اثر چرخه های پوشش دهی توسط طیف UV-Vis و تحلیل چگالی جریان-ولتاژ مورد بررسی قرار گرفت

در این مقاله با اندازه گیری طیف فتولومینسانس و فوتولومینسانس وابسته به زمان یکسری از نانوساختارهای نیتروژندار (چاه های کوانتومی نیتروژن دار (GaN/AlGaN، تاثیر افزایش آلایش سیلیکونی و همچنین شدت نور باریکه لیزر فرودی بر روی نمونه را در پوشش میدان های قطبشی موجود در این ساختارها، طیف فوتولومینسانس و همچنین زمان واهلش حامل ها بررسی شده است. اندازه گیری ها نشان می دهد که با افزایش آلایش سیلیکونی پهنای پیک حاصل از چاه های کوانتومی و همچنین بازدهی نوری سیستم به علت پوشش میدان های الکتریکی موجود در چاه ها، افزایش پیدا می کند و این موضوع در طراحی دیودهای، نورگسیلنده UV از اهمیت بالای برخوردار است. همچنین اندازه گیری ها نشان می دهد که پیک انرژی گسیلی این چاه ها با افزایش شدت نور لیزر به علت پوشش موثرتر میدان های الکتریکی داخلی موجود در این ساختارها به سمت انرژی های بیشتر، در حدود چند meV، جابجا می شود.

در این مقاله نانوذرات TiO2 و تیتیانیوم دی اکسید دوپ شده با کروم با روش سل-ژل سنتز شده و به عنوان الکترود در سلول خورشیدی حساس به رنگ به کار گرفته شده اند. نتایج نشان داد که نمونه های سنتز شده شامل فاز آناتاز با اندازه متوسط 15-10 نانومتر می باشد. تیتانیوم دی اکسید دوپ شده با کروم جذب ناحیه مرئی بهتری از خود نشان داد که به دلیل پدیده پلاسمون می باشد. برای سلول خورشیدی حساس به رنگ ساخته شده با تیتانیوم دی اکسید دوپ شده با کروم جریان بالاتری نیز مشاهده شد که ثابت می شود می توان از این نانوساختار برای بالا بردن بازده در این سلول خورشیدی بهره برد.

در این پژوهش تلاش گردید تا با بهینه سازی برخی از فاکتورهای آزمایشگاهی، لایه های نازکی از نانوبلورهای نیم رسانای کادمیم روی سولفید آلاییده شده با کبالت با تک قله گسیل مربوط به ترازهای انرژی آلاییدگی، به روش انباشت حمام شیمیایی تهیه گردند. نتایج نشان دادند که قله گسیل شدید در حدود 530 نانومتر را می توان به بازترکیب حاملین بار از طریق ترازهای کبالت در گاف انرژی نسبت داد. همچنین، الگوهای پراش پرتوی ایکس لایه های نازک Co: CdZnS نشان دادند که با افزایش دمای لایه نشانی، اندازه ی نانوبلورهای تشکیل دهنده لایه ها بزرگتر می شود. کیفیت مناسب خواص سطح لایه های تهیه شده در دماهای لایه نشانی مختلف، با استفاده از تصویربرداریِ میکروسکوپ الکترون روبشیِ-گسیل میدانی اثبات گردید. خواص نشری این لایه-ها نشان می دهند که این لایه ها پتانسیل بسیار مناسبی برای کاربرد در دستگاه های اپتوالکترونیکی نانو مقیاس دارند.